Artigo publicado na 10ª edição Revista Canal Solar
A fabricação de wafers, células e módulos fotovoltaicos segue requisitos e tendências relativos às matérias primas e aos insumos utilizados, sendo que a redução do consumo ou a substituição de alguns materiais pode ser necessária para garantir a disponibilidade, evitar riscos ambientais, reduzir custos e aumentar a eficiência dos produtos.
A melhoria ou substituição dos materiais resulta no aumento da eficiência dos módulos baseados em silício monocristalino (mono-Si).
Os módulos do tipo P hoje alcançam eficiências superiores a 20%, enquanto os módulos baseados em células de silício do tipo N, além dos módulos de heterojunção (HJT), fornecem as mais altas eficiências, podendo chegar a 23% ou mais.
De acordo com o International Technology Roadmap for Photovoltaic (ITRPV), o principal elemento de dopagem para o material mono-Si do tipo P é o gálio (Ga).
O boro (B) seguirá sendo substituído, pois a maior vantagem da dopagem com gálio é a redução significativa da degradação induzida pela luz (LID – Light Induced Degradation) do material tipo P.
Os efeitos de degradação ao longo da vida induzidos pela luz são frequentemente observados no silício cristalino usado na produção de células solares.
Um dos mais proeminentes é o LID, causado pela ativação induzida por elétrons da combinação entre o boro e o oxigênio nas células do tipo P, um fenômeno que ocorre com maior intensidade no início da utilização do módulo fotovoltaico.
