28 de janeiro de 2022
solar
No Brasil Hoje

Potencia GC SolarGC 4.63GW

No Brasil Hoje

Potencia GD SolarGD 8,83GW

Conheça as células fotovoltaicas de heterojunção

Saiba mais sobre as células fotovoltaicas HIT e HJT

Autor: 1 de abril de 2019novembro 8th, 2020Artigos técnicos
Conheça as células fotovoltaicas de heterojunção

Recentemente, alguns tipos novos de células fotovoltaicas têm surgido no mercado. Você já deve ter ouvido falar dos novos módulos solares baseados em células PERC, HJT ou HIT que os grandes fabricantes orgulhosamente anunciam como seus últimos lançamentos.

Tecnologias HIT e HJT

HJT e HIT são nomes diferentes para a mesma coisa. A técnica HIT foi desenvolvida cerca de 20 anos atrás pela japonesa Sanyo. A expiração da patente em 2010 abriu uma janela de oportunidade para que outros fabricantes voltassem sua atenção para a técnica.

HIT significa Heterojunction Intrinsic-layer Technology e ainda é uma marca registrada da Panasonic (que adquiriu a Sanyo), apesar de a patente já ter caído.

De forma genérica, a indústria refere-se à técnica como HJT (HeteroJunction Technology). Já se provou ser possível obter células fotovoltaicas HIT com eficiências de mais de 25% em escala laboratorial. Em escala comercial, com HIT é possível fabricar módulos de 60 células com potências de quase 310 W.

Para comparação, com a tecnologia convencional (silício não passivado com 300 a 400 micrômetros) os módulos de 60 células não ultrapassam a barreira dos 270 W. Mesmo com a redução da espessura da célula, a técnica HIT eleva a eficiência dos módulos em até 15%.

A técnica HIT consiste na adição de camadas de silício amorfo intrínseco (silício puro, sem impurezas ou dopantes) e camadas de silício amorfo dopado nas duas superfícies da célula.

O silício amorfo é um tipo de silício não cristalino. Ele é originalmente usado na fabricação de células solares de filmes finos, uma tecnologia que compete (mas fica muito para trás) com as células mono e policristalinas.

Neste caso, a deposição de silício amorfo, que ocorre por um processo denominado PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition), é usada apenas para a passivação do silício cristalino.

A figura a seguir ilustra a estrutura típica de uma célula HIT. Na parte inferior da célula existe uma camada de metalização com prata (Ag), fabricada pelo processo de deposição PVD (Physical Vapor Deposition).

Continuando de baixo para cima, vemos que acima da camada metálica existe uma camada de ITO (óxido de índio e estanho), um material transparente e bom condutor elétrico. Em seguida, vemos uma fina camada de silício amorfo (a-Si) do tipo (n) sobreposta por uma fina camada de silício amorfo (a-Si) intrínseco (i).

Em seguida, encontramos uma grossa camada de silício cristalino (c-Si) do tipo (n), sobreposta por duas outras camadas de silício amorfo (a-Si) intrínseco (i) e silício amorfo (a-Si) do tipo (p). Na superfície da célula, finalmente, encontra-se uma nova camada condutiva de ITO associada a trilhos metálicos (bus bars) de prata (Ag).

Essa estrutura corresponde ao estado da arte da tecnologia fornecida pela Meyer Burguer, importante empresa do segmento de tecnologia e equipamentos para a fabricação de células e módulos fotovoltaicos.

Não necessariamente toda célula HIT tem essa mesma estrutura, mas todas têm um princípio comum. O princípio da tecnologia HIT está na existência de pelo menos uma camada de silício cristalino (p) coberta em cada lado por duas finas camadas de silício amorfo intrínseco (i), além de camadas de silício (p) e (n).

As camadas de silício intrínseco (i) são responsáveis pela passivação do silício cristalino do tipo (n), enquanto as camadas de silício (p) e (n) agregam funcionalidade à célula.

A camada (p) cria um emissor na superfície superior (equivalente à junção p-n, necessária para a criação do efeito fotovoltaico) e a camada (n) cria uma superfície de passivação adicional, que origina um campo elétrico traseiro conhecido como BSF (Back Surface Field), que também ajuda a reduzir a recombinação de elétrons, aumentando a eficiência da célula.

Além das vantagens já mencionadas da estrutura HIT, ainda podemos mencionar a redução do coeficiente de temperatura das células, como ilustra a figura a seguir. Um menor coeficiente térmico (da ordem de -0,26%/oC) significa que a eficiência do módulo fotovoltaico sofre menos influência do aumento da temperatura.

Em outras palavras, módulos HIT produzem mais energia em locais quentes do que os módulos que empregam células cristalinas convencionais.

Módulos HIT comerciais

Fabricantes como Seraphim e Panasonic disponibilizam módulos HIT no mercado internacional com eficiências que ultrapassam 19%. Abaixo se encontram as características técnicas dos módulos da família HIT Panasonic.