Risen lança relatório técnico sobre aplicação industrial de wafers de silício ultrafinos

A Risen Energy anunciou que compilou as experiências e conhecimento acumulado em relação ao desenvolvimento e à aplicação industrial de wafers de silício ultrafinos em um white paper. Esse é o segundo relatório técnico lançado pela empresa, que no ano passado divulgou um sobre os módulos com tecnologia HJT (heterojunção).

De acordo com a fabricante, como é amplamente conhecido, os wafers de silício, as pastas de metalização e os custos de equipamentos correspondem por mais de 90% dos valores totais das células HJT.

“Os wafers de silício, sozinhos, representam 55%. Portanto, fica evidente que a redução dos custos de tais wafers é um dos principais meios para impulsionar a produção em massa de heterojunção”, destacaram.

A Risen fez um progresso significativo no desenvolvimento técnico e na aplicação industrial de wafers de silício ultrafinos após anos de P&D (Pesquisa e Desenvolvimento), que a levou ao encontro da redução de custos e alavancou a competitividade que hoje se vê desta tecnologia.

Atualmente, a companhia afirmou que domina a produção em massa de células usando wafers de silício ultrafinos de 110 μm e 100 μm, com capacidade de produzir wafers com espessuras inferiores a 100 μm.

Avanços tecnológicos

A indústria fotovoltaica, como um setor impulsionado pela tecnologia, passou por várias rodadas de interações tecnológicas cujos objetivos sempre estiveram relacionados a melhoria da eficiência e otimização da cadeia de produção em busca de maior sustentabilidade e redução de custos.

Tecnicamente, à medida que a eficiência das células P-Type se aproxima de seu pico, as células N-Type se tornaram a nova tendência da época, dado o potencial de atingir maiores eficiências, inclusive aproximando-se dos limites teóricos de eficiência para células de silício de única junção.

Segundo a Risen, a tecnologia de heterojunção, como uma das principais rotas para células solares N-Type, atraiu a atenção de todos por suas vantagens e por seu potencial de melhoria de outras características, que vão além de apenas a eficiência.

“Previmos essa mudança e iniciamos P&D da tecnologia HJT em 2019. Ao longo dos anos, investimos recursos substanciais na pesquisa e na produção em massa de módulos HJT, tendo garantido dois anos consecutivos de liderança global em remessas de HJT”, relataram.

Como resultado de muito investimento no desenvolvimento e aprimoramento da tecnologia, os painéis HJT da companhia quebraram, por quatro vezes consecutivas, recordes mundiais de eficiência de módulos HJT, como o painel da linha Hyper-Ion que teve a potência de 741 W e eficiência de 23,89% certificados pela TUV em 2023.

Os modelos HJT da Risen, conforme a empresa, concentram alta densidade de potência, os menores coeficientes de temperatura de Pmax e degradação linear anual, além de muita tecnologia de ponta embarcada.

Ao longo dos anos de desenvolvimento, a Risen Energy também realizou pesquisas aprofundadas sobre vários fatores importantes que permeiam a obtenção de alta confiabilidade e redução de custos para a produção em massa em larga escala da tecnologia HJT, tornando-a viável e competitiva.

Ao final de 2022, por exemplo, desenvolveram e começaram a produzir, em larga escala, wafers de silício ultrafinos e células com tecnologia de barramento zero na célula, conhecida como 0BB, utilização de pasta de metalização com baixo teor de prata e tecnologia de interconexão de células sob baixa temperatura, chamada Hyperlink, garantindo alta confiabilidade das células HJT Risen. Estas tecnologias integram os módulos HJT da fabricante por meio da da linha Hyper-ion de ultra-altas potências 700 Wp+.

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